Leti和ST联袂展现提高一个量级的超宽电压FD-SOI数字信号处置器处女娱乐城

Posted by admin 7 March,2014 (0)Comment

  法国微电子研究机构CEA-Leti取意法半导体联袂展现了一个基于28纳米超薄体埋氧层(ultra-thin body buried-oxide,UTBB)FD-SOI手艺的超宽电压(ultra-wide-voltage range,UWVR)数字信号处置器(digitalsignal processor,DSP)。

  该器件由意法半导体采用28纳米 UTBB全耗尽型绝缘层上硅(fully-depleted silicon-on-insulator,FD-SOI)工艺制制,体偏压调压范畴0V至+2V,可降低电最低工做电压,正在400mV时支撑460MHz时钟频次。

  通过整合两边的设想手艺,处女娱乐城展品取得了超宽的电压范畴、更高能效和空前的电压效率和频次效率。意法半导体和Leti开辟并优化了0.275V-1.2V尺度单位库:通过操纵非堆叠功率-机能特征,取得了抱负的实现。正在优化单位中,快速脉冲触发式触发器(st pulse-triggered flip-flops)是针对低压可变性容限设想。

  此外,芯片内部时序裕量器动态调整时钟频次,使其为最大工做频次的百分之几,时序调整取电源电压值、体偏压值、处女星号娱乐城温度以及制制工艺无关。因而,即便正在0.4V时,该数字信号处置器工做频次仍然提高9倍。

  意法半导体设想支撑办事部施行副总裁Philippe Magarshack暗示:“UTBB FD-SOI手艺是意法半导体的速度更快、散热更小、更简单的处理方案,正在机能和节能方面取得巨猛进步,同时尽量削减了对现有设想和制制方式的调整和改变。处女星娱乐城本次展出的数字信号处置器证明,FD-SOI正在若何利用能效更高的曲至10纳米的芯片设想更好的便携式电池供电产物方面开创了一条新。”

  Leti部分副总裁兼设想和嵌入式系统平台营业从管Thierry Collette暗示:“开辟可以或许充实阐扬手艺机能和能效劣势的先辈设想方式,然后再操纵这些方式设想最终合用于物联网终端产物的公用元器件,做为手艺立异取上逛工业之间的桥梁,Leti正在这个过程中起到环节做用。”

  于2月12日举行的ISSCC第27届“Energy-Efficient Digital Circuits”专题研讨会上,Leti和意法半导体了合著论文“A 460MHz at 397mV, 2.6GHz at 1.3V, 32b VLIW DSP, Embedding Fmax Tracking”,同时向展现了相关产物套件。

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